华硕ROG宣布NitroPath DRAM手艺 优化内存旌旗灯号完

华硕ROG宣布NitroPath DRAM技巧1月21日，华硕ROG官方发布推闻名为NitroPath DRAM的新技巧。这项技巧的目标是从新计划主板上内存插槽根部牢固构造，以进步内存旌旗灯号完全性以及超频机能。现在，ROG Crosshair X870E Hero跟ROG Strix X870E-E Gaming WiFi曾经支撑了这项新技巧。据官方数据表现，新的内存插槽牢固力增添了57%，同时超频机能进步了400MT/s。这项技巧对那些须要常常进级或调换内存的用户来说是个额定的卖点。简略来说，古代DIMM采取了288pin针脚计划，这象征着每个 DIMM 上有288个“金手指”焊盘与DRAM插槽中的288个针脚打仗。华硕采取了种种战略来确保最年夜限制地增加旌旗灯号反射跟烦扰，并确保稳固的机能。此中一项战略是采取差别材质的PCB资料、优化走线规划、精细焊接等手腕。在传统DDR内存插槽中，每个针脚都有一局部“剩余”，这些剩余可能维护内存模块免受用户拔出金属走线尖端而刮伤的危险。但是，这些剩余也会招致旌旗灯号反射跟烦扰。华硕表现，在畸形的DDR5速率下，这些剩余惹起的反射是可控的。然而当内存速率晋升到8000MT/s以上时，它所发生的影响就会变得显明起来。为懂得决这个成绩，华硕应用了一种新的针脚规划方式：他们不再让针脚从DIMM向上延长，而是将针脚向内折叠，并确保尖利边沿不会与金手指打仗。如许一来，不只能够收缩约70%的剩余长度，并且无需对DIMM构造停止调剂，同时兼容现有的内存模块。华硕外部测试标明，在存在四个DIMM插槽的主板上 NitroPath DRAM 技巧的影响最年夜。而对只有两个 DIMM 插槽型号而言，其自身就曾经领有充足优良的机能表示，并不太多收益可言。