imec胜利研发高熵合金超导体：可完成2神仙道神仙

比利时imec微电子研讨核心在近来的IEEE IEDM 2024国际电子器件集会上展现了其基于铌钛氮（NbTiN）超导资料的三类超导数字电源要害模块：互联、约瑟夫森结跟MIM电容器。这些技巧存在可扩大性，与尺度300mm CMOS制作技巧兼容，而且可能蒙受传统BEOL后端工艺中的420℃加工温度。据imec先容，他们的第一代超导数字电路在机能上比基于惯例7nm CMOS体系的体系能效进步了100倍、机能进步了10~100倍。别的， NbTiN超导互联、约瑟夫森结、MIM电容器均满意了所假想体系的工艺标准。详细而言，在NbTiN超导互联上，imec采取了半年夜马士革集成工艺构建双金属级计划，实现了低至50nm的导线跟通孔临界尺寸，并领有高于13K的临界温度以及年夜于120mA/μm2的临界电流密度。在约瑟夫森结局部，他们经由过程夹在两个超导NbTiN层之间的aSi非晶态硅实现了年夜于2.5mA/μm2的临界电流密度。别的，imec还展现了应用铌钛氮电极、基于HZO（Hf0.5Zr0.5O2）资料的可调谐电容器，该电容用具有约8 fF/μm2的高电容密度。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->